可编程逻辑控制器

　　近日，英飞凌宣布与盛弘电气达成合作。英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，从而进一步提升储能变流器的效率。

　　在“双碳”战略和新能源浪潮带动下，近年来，国内储能市场保持持续快速发展。据工信部统计，2023年上半年，新型储能装机规模达到863万千瓦，相当于此前历年累计装机规模总和。而储能系统的效率和功率密度是产品竞争力的重要因素，系统体积大小、重量，以及储能系统的成本等都与能源转换效率密切相关，也直接影响着成本。因此，功率半导体元器件扮演着至关重要的角色。

　　英飞凌科技高级副总裁，零碳工业功率事业部大中华区负责人于代辉表示：“碳化硅功率解决方案是未来绿色能源生产和存储应用的重要组成部分。英飞凌与盛弘股份在储能变流器领域的合作，助力其储能系统实现效率高、体积小、重量轻等优势，为实现高可靠性、高性能的储能系统提供坚实的保障。”

　　盛弘股份集团副总经理魏晓亮表示：“盛弘股份的储能产品使用了英飞凌的碳化硅器件后，兼容性和灵活性明显增强，效率显著提高，损耗明显降低，系统的散热成本减少，促进了产品长期高效稳定运行。得益于此，终端用户提高了运行稳定性，并缩短了投资回报周期。这些进步增强了我们产品的系统竞争力，提高了客户对我们储能产品的信任度，提升了Sinexcel的品牌知名度。未来，我们期待英飞凌继续提供高性能、高稳定性的组件，进一步增强Sinexcel产品在客户中的竞争力。”

　　凭借在碳化硅领域超过20年的产品研发和应用经验，英飞凌持续精进碳化硅产品的先进性。其中，1200V CoolSiC MOSFET凭借其高功率密度的优越性能，可将损耗降低50%, 在不增加电池尺寸的情况下，额外提供约2%的能量，这对高性能、轻量且紧凑的储能方案尤为有益。

　　采用英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET以及EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，盛弘电气股份有限公司储能变流器可实现高功率密度，最小电磁辐射和干扰，高保护性能以及高可靠性，系统效率可达98%，比传统的解决方案效率提升了1%，达到行业领先水平，更好地满足海内外市场并网和离网运行的储能应用需求。